AMDの次世代CPUについて語ろう ２次世代
>>99
今回の発表、何が凄いと言っても、PMOSでNMOS並の性能が出ると主張しているところす。
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=174901200
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The PMOS devices now run almost as fast as the NMOS transistors. Wei said the new process
will allow design engineers to better balance the size of the N- and PMOS transistors to achieve
performance improvements at the product level that he said could approach 50 percent.
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従来わ、例えばこの記事にあるようにPMOSの性能わNMOSの半分程度す。
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/16/vlsi1/
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AC測定の場合は、nMOSのIon=1240μA/μm、pMOSのIon=680μA/μmであった。
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理論的にわ、この影響でプロセッサのスイッチング速度わおよそ50%増しになるす。つまりPMOSとNMOSで
同じ性能が得られれば、タダでEETimesの記事にあるように50%増しの性能が得られることになるす。
相変わらず他人の褌で。。。とか言えないことも無いすけど、IBMにボッタくられている訳すから別に問題無いす。
今回の発表、何が凄いと言っても、PMOSでNMOS並の性能が出ると主張しているところす。
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=174901200
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The PMOS devices now run almost as fast as the NMOS transistors. Wei said the new process
will allow design engineers to better balance the size of the N- and PMOS transistors to achieve
performance improvements at the product level that he said could approach 50 percent.
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従来わ、例えばこの記事にあるようにPMOSの性能わNMOSの半分程度す。
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/16/vlsi1/
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AC測定の場合は、nMOSのIon=1240μA/μm、pMOSのIon=680μA/μmであった。
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理論的にわ、この影響でプロセッサのスイッチング速度わおよそ50%増しになるす。つまりPMOSとNMOSで
同じ性能が得られれば、タダでEETimesの記事にあるように50%増しの性能が得られることになるす。
相変わらず他人の褌で。。。とか言えないことも無いすけど、IBMにボッタくられている訳すから別に問題無いす。
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まぁ期待しすぎても肩すかしを食うから話半分に思っていた方がいいな
しかし、Intelの発表の方も中々興味深いす。同じ記事にあるように
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Intel made remarkably few changes at the 65-nm node, other than enhancing the germanium content
in the deposited SiGe regions at the source and drain region of the PMOS device.
[中略]
ntel decided to keep its process as simple as possible in order to keep costs under control, he said,
adding that “we achieved our performance goals with this approach.”
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つまり、今まで高速トランジスタの開発のためにあらゆる努力を払ってきたIntelが、90nm->65nmに限ってわ
コスト削減のために識者が「驚くほど」保守的な道を選んだということす。
かつて低価格路線一直線だったAMDが、Opteronで手に入れたサーバー市場向けに高コスト・高価格・
高機能路線を選び、Intelが逆の道を選んだ。。。というのも実に面白い話だと思うす。
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Intel made remarkably few changes at the 65-nm node, other than enhancing the germanium content
in the deposited SiGe regions at the source and drain region of the PMOS device.
[中略]
ntel decided to keep its process as simple as possible in order to keep costs under control, he said,
adding that “we achieved our performance goals with this approach.”
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つまり、今まで高速トランジスタの開発のためにあらゆる努力を払ってきたIntelが、90nm->65nmに限ってわ
コスト削減のために識者が「驚くほど」保守的な道を選んだということす。
かつて低価格路線一直線だったAMDが、Opteronで手に入れたサーバー市場向けに高コスト・高価格・
高機能路線を選び、Intelが逆の道を選んだ。。。というのも実に面白い話だと思うす。