【金持ち】ASUS P4P/C800系 友の会 Rev.8【貧乏】

あと、お節介ですけど
電圧下げるとCPUの寿命が短くなるので
その覚悟のある人がやって下さいね。

難しい話なしで適当に説明すると
電圧低くすると電子のスピードが遅くなり
定格の状態より電子が同じ場所にとどまるため、
回路にダメージが大きくなる。
ということ

電圧を下げると、どれくらい寿命が下がるかは分かりません。
各自の判断でどうぞ。

電圧上げすぎても駄目だな。
つぅか、上げた方が損失分大きいと思われ。

高電圧よりも低電圧のほうが致命的になりやすいそうです

ちなみに、「低電圧友の会」の知識なのであしからず

88 名前：* 投稿日：2001/05/20(日) 11:58
>>85
素人は黙っててね。
CMOSってのは、HighでもLowでもない中間状態が一番危険であるというのは、
ちょっとでも電子工学に触れた人間であれば常識である。
CMOS-ICっていうのは、設計時にドーピング濃度やゲート厚の調整によって
チャネル耐圧やスレショルドレベルのチューニングが行われる。
これによって、最適なVcoreが定まるわけだ。

定格のVcoreを下回るということは、ゲート電圧がスレショルドレベルを通過する時間が
大きく増加することを意味する。CMOS素子はその構造上、スレショルドレベル通過時間の間、
VccとGNDの両者が一時的にショートし、巨大な貫通電流(瞬間的に数mA以上)を流すという現象を引き起こす。
したがって貫通時間の増加は、素子単品(定格0.1μA程度)に大きな負担を強いることを表す。
実際、0.18μmのCMOSロジックにおいて、ゲート電圧毎にスレショルド貫通時間を測定してみると、

Vdd[V] Tth[ns] P[相対値]
-------------------------------
2.0　　　　0.10　　　　4
1.8　　　　0.18　　　　3.24
1.5　　　　0.19　　　　2.25
1.2　　　　0.25　　　　1.44
0.9　　　　0.51　　　　0.81

つまり1.5Vで使うときに比べて、貫通電流による素子のダメージは2.5倍以上となる。
Vcore低下によって確かに発熱は抑えられるであろうが、CPUの破壊要因は熱だけじゃないって事だ。

106 名前：楽太郎 投稿日：2001/05/28(月) 03:37
レスが憑いてたのね。放置スマス。
>>95,101
88で言わんとしていることは、チャネル溶断によるCPUの永久破壊(いわゆる突然死)が
むしろ低電圧駆動で引き起こされやすいという事実を裏付ける理論やデータが存在するということ。
なので、基本的に、半導体の性能劣化とチャネルの溶融は別の領域の話である。
もちろん両者にはある程度相関があるわけで独立してはいないんだけど。

○FETの構成
　　 〜 (;;´Д｀;)　←ﾍﾞｰｽ電圧
-------------------　←絶縁層
　ｸｯｻｰ　　〜〜〜ﾑｩｰﾝ
(ﾟДﾟ)　　〜〜〜　　　←チャネル　　　ベースに電圧をかけると、電界の影響でチャネルが閉じ
ﾄｵﾚﾈｴﾖ　　〜〜〜ﾑｩｰﾝ　　　　　　　　　　　　チャネル電流は遮断される。
-------------------　←絶縁層

溶融ってのはつまり、低速なゲート操作によってチャネル貫通電流が長時間発生し、
そこで局所的に発生した想定外のスポット高熱によって、チャネルのキャリアが中和されてしまい、結局FETの構成が消滅してしまう。
つまり丸々トランジスタ1個が消えてしまうのだ。こうなると劣化以前に正常動作しない。

低電圧動作(論理暴走+チャネル溶融)が何故危険かといわれる理由がそこにある。
過電圧(熱上昇+絶縁破壊)やOC(熱上昇+論理暴走)に比べて、失敗＝即死の可能性が高いからだ。