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不明なデバイスさん:
■メモリの種類
SLC(シングルレベルセル)1セルに1bit保持するタイプ
長所: 高速、高信頼性、ReadyBoost向き
短所: 同じダイサイズでもMLCの1/2〜1/4の低容量
耐性: 1ビットのECC(error correction code)を含めて1ブロックにつき10万回の書き換えが可能
MLC(マルチレベルセル)1セルに2~4bit保持するタイプ
長所: 大容量、低価格、ストレージ向き
短所: 信頼性、高速性でSLCより劣る
耐性: ECCを含めて1万回までしか書き換え出来ない *メーカーでは4ビットのECCを推奨している
■SLC まとめ
A-DATA PD7(現在生産分はMLC)
BUFFALO (生産終了)RUF2 R、RS、RUF-2H(現行)RUF2 S、RV
CFD CUFD-H(基本SLCだが8Gはコントローラーにより速度低下)
ELECOM (生産終了)HU2、KU2
GREENHOUSE GH-UFD**BS
HAGIWARA (生産終了)HUD-LJ(LumitasM)、HUD-HLJ(LumitasH)(現行)UD-BJ(PLAMINUS)、HUD-LS(LumitasHS)
I・O DATA (生産終了)TB-BH 無印
Kingston (生産終了)DataTraveler2(現行)DataTraveler BlackBOX DataTraveler Secure
PQI U339 Pro U330
SONY (生産終了)USM_JX
Transcend JetFlash 1xx、2A
サンワサプライ UFD-RH
全てMLC SANDISK、IMATION、TDK、KINGMAX、Silicon Power、Princeton、Corsair(現在生産分)
生産終了品のSLCを見つけたら速購入!
■16GB SLC
Transcend TS16GJF2A
Transcend TS16GJF168
BUFFALO RUF2-R16GS-BS
BUFFALO RUF2-RV16GS
■フラッシュ系の書き込みによる劣化について。
/*フラッシュ全般*/
なぜ半導体メモリなのに情報(0と1)が消えないか。
FETのゲートに絶縁体を使い、(普通のメモリでは抜けてしまう)蓄積電荷が
絶縁体を乗り越えられずにとどまり続けるので、チャネルがオープンになり続け、
論理が保持されます。
/*01の制御*/
ここで、絶縁体なのに何で電荷が存在してるんだよ。という当然の疑問がわきます。
絶縁破壊する高電圧を一瞬加えて無理矢理電荷を移動させるからです。
この絶縁破壊によって、物理的に壊れていくのがフラッシュの書き込み制限。
読み込みは、単にソースドレイン間のオープン、ショートの論理をみてるだけだから、
ゲートの絶縁破壊と関係なくて、劣化しません。
■フラッシュメモリの仕組み
ttp://www.kyoto-sr.co.jp/products/fugue/techinfo/if-intro.html 最低限の知識が書いてあるから、まずはここを一読推奨
■ベンチマークは以下を推薦
・CrystalDiskMark 3.0 (C) 2007-2010 hiyohiyo
http://crystalmark.info/software/CrystalDiskMark/ ※テスト時のデータサイズについて
★50MB以上でおk(大半のUSBメモリはこれ)
SMI SM324BC
USBest UT163
PHISON PS2136/PS2134/PS2231
☆1000MBでおk
PHISON PS2233/PS2251
JMicron JMF601/JMF602/JMF603
メーカー問わず USB3.0対応製品
■どのコントローラーかわかんないよ(><)
まずは100MBで計測して
"RandomWrite4KB"が0.300MB/sを超えた場合にのみ
1000MBで再計測してください
・USBメモリ26本目393氏作成テストファイルの書き込み/USBメモリ内複製/削除時間
>>393 名前:不明なデバイスさん mailto:sage [2008/07/25(金) 02:42:44 ID:U3h/Y+TZ]
>>テスト用にファイルUPしました。
>>
http://master.s140.xrea.com/passup/src/up0024.zip >>1〜3KBのファイルが4145個あります。