1 :
陽気な名無しさん:
何ですか!?
2 :
陽気な名無しさん:04/07/07 05:51 ID:SPTZznY5
僕は死にましぇん
3 :
陽気な名無しさん:04/07/07 05:52 ID:b9pLBY8K
4 :
陽気な名無しさん:04/07/07 05:54 ID:SPTZznY5
♪今も聞こえるあのおふくろの声
5 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:09 ID:b9pLBY8K
6 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:09 ID:D8wPoz4n
うるせーよ
7 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:11 ID:b9pLBY8K
はいみなさーん!!よーく聞きなさーい!!
8 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:15 ID:URPQmcxA
半導体プロセスが90nm世代以降の領域に突入しつつあるなかで、新たなプロセス技術、
新材料導入が進められようとしている。半導体ウエハープロセスの主要技術であるCMP
(化学的機械研磨)技術も様々な技術革新の波にさらされている。一方でこうした技術革
新は、市場の門戸を広げ、多くの企業に参入の機会を与えている。CMP装置や材料市場の
多くは1〜2社によって市場が形成されているが、新規参入各社は難易度の高い次世代技術
と共存する大型市場を狙っており、次世代製品の開発、投入が加速している。
CMP技術は、90年代前半から半導体ウエハー工程に導入され、酸化膜などの層間絶縁膜
に始まり、ポリシリコン電極、導通用のタングステン(W)プラグ、STI(素子分離)へと
広がった。デバイスの高性能化と共に導入の進んだ銅(Cu)配線プロセス技術では、もは
やキーテクノロジーの一つに数えられる。
90nm以降、CMPに突きつけられている代表的な課題として、Cu/Low-k(低誘電率層
間絶縁膜)が挙げられる。デバイスの微細化に伴い、チップの配線抵抗や寄生容量により
信号伝達速度の遅延を防ぐ必要があるため、層間絶縁膜絶縁膜のLow-k化必須になる。
Low-kは誘電率を下げるために、カーボンの添加や65nm以降では空孔(ポーラス)を
設ける手法となるが、これにより、膜の機械的強度は一気に低下する。CMPプロセスは、
圧力をかけながら研磨していくため、脆弱なLow-K材料を層間絶縁膜に用いると、膜と
膜の界面からの剥がれが問題となる。
10 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:22 ID:b9pLBY8K
JOUDAN JOUDAN
× JOUDAN
○ JODAN
たいしてネタも無いくせに糞スレ立てて
他人のレスに便乗して調子こいてるような馬鹿だから
綴りもろくに知らない
12 :
陽気な名無しさん:04/07/07 06:41 ID:b9pLBY8K
13 :
陽気な名無しさん:04/07/07 07:01 ID:BXdG0VMo
JORDAN
ヨルダン
14 :
陽気な名無しさん:04/07/07 07:49 ID:g+VbD7jv
15 :
陽気な名無しさん:04/07/07 08:30 ID:0hQDEQ6S
なに?半導体製造装置業界のゲイがいるの?
業界団体でも作りましょうか?
何なんですか?
サスペンス
18 :
陽気な名無しさん:04/07/07 14:30 ID:85AmAvHS
ジャンケンポン!コックローチ!
あんたの負け!
19 :
陽気な名無しさん:04/07/07 15:09 ID:NrnxwI7i
武田てつやって金八先生から
「いい人」をとったような人間なんですって?
20 :
陽気な名無しさん:04/07/07 15:22 ID:YIqmuUT/
武田鉄也って、金八シリーズの途中から短くなりましたね。
なんで途中から短くしたんでしょう。
坂本竜馬に憧れて長髪にしていたのにね。
初期の金八では、金八の長髪が問題になったりしましたのにね。
21 :
陽気な名無しさん:04/07/07 17:22 ID:lQ40Vf/f
何ですか?
と聞かれたら、答えてあげるが世の情け。
という訳で、このスレは鉄ヲタのスレです。
よって武田鉄矢ネタはスレ違い。よそでやってくれ。
22 :
陽気な名無しさん:04/07/07 17:39 ID:gJRmaWk2
23 :
陽気な名無しさん:04/07/08 07:51 ID:4OPsqoHo
今僕は、鼻が詰まっています。
24 :
陽気な名無しさん:04/07/08 08:12 ID:35FlW6MR
僕は今、咳が酷く喉が痛いです。
カレーに合うのは
ナンですか?
26 :
陽気な名無しさん:
ナンって何ですか!?