☆電気･電子の宿題,試験問題ｽﾚ☆１０

>>407
合ってると思うよ。あとは普通に連立微分方程式として解くか、ラプラス変換して
代数方程式として解くか。解をひとつに定めるには初期値が必要。

>>406
電荷の絶対値で静電容量を求めるなら、一方の電極から見たもう一方の電極の
電位を使う。無限遠点も電極の一つと考える。電荷を変動させたときの電位の
変動がわかれば、その比からも静電容量はわかる。この場合は変動分しか
使わないので、どこから測った電位でもよい。

>>413
>一方の電極から見たもう一方の電極の電位を使う
これって、電位差だろ。
>>406は、本人は気づいていないけど、普通のこといってるだけだと思う。

帯域通過フィルタの挿入損失の理論値はどうやったらでるのでしょうか

誘導されたのでここで質問させていただきます
実験課題で出されたのですが、調べてもさっぱり分からないので質問させていただきます
ファンクションジェネレータより矩形波、三角波をFFTアナライザへ入力し、その周波数分析を行うものだったのですが
結果として周波数[Hz]とパワースペクトル[dBv]でいくつかの結果が出ました
そこでフーリエ変換した結果と比べるという課題だったのですが、この周波数、パワースペクトルから、矩形波、三角波
をフーリエ変換した結果と比べるためにはどのように変形すればいいのでしょうか？
おそらくはスペクトルから振幅を出して、1項3項5項7項の三角関数を1とした時の値と比べて行くのだと思いますが、
スペクトルを10logとしても結果が一致しません･･・

>>416
実験値と理論値の比較かな。

1.実験
　FFTに設定ミス　電圧単位、終端インピーダンス、窓関数の種類

2.理論値
　振幅→実効値への変換を忘れてる。

3.他
　20logでいい。

以上　思いついた項目

>>417
実験そのものは以前にやった経験のある留年生の方がいたので大丈夫だと思います(値もおかしくはないそうです)
3については実験方法の欄に多くは10logが使われると記述があったのでおそらくは2ですかね・・・
その変換方法もわからないのでちょっと探してきます　ありがとうございました。

やってみましたがやはり一致しないようです・・・10倍以上の違いが出てしまいます
具体的には矩形派の1項が40[Hz]-21.00[dBv]なのですが、計算すると0.089125となり
理論値1cos(z)の実行値0.7071とはかけ離れています・・・

>>419
入れた矩形波の振幅は？

>>420
データが無いですね・・・これだけでは比較は不可能なのでしょうか？

>>421
あなたが言ってることは、
各辺の比が、1：2：√3の直角三角形がありました。
実際に長辺の長さ計ったら、２ｍでした。√3＝1.732と全然合致しません。
って言ってるようなものですよ。

　まぁ、源信号の形が分っているのなら、逆算で源信号振幅も
分るし、高調波間の比率から確認するかだね。

実験なら入力の振幅は指定されてると思うけどね。

あと、ｄB　ｄBｖ　ｄBVが理解できてないみたい。
（ややこしいけどね）

おっと、たとえ話が間違ってるじゃん。1：2：√3なら
長辺は2だな（汗）ｗ

まっいいか、比と絶対値の話が混じってるってことを言いたいのであった。

トランジスタのエミッタ接地だと入力電圧と出力電圧が反転する理由について、
言葉で入力電圧が増加するとベース電流が増加し、それによりコレクタ電流が増加するからコレクタ電圧が減少する。
コレクタ電圧は出力電圧のことであり、入力電圧が増加すると出力電圧が減少していることから反転する
って説明したんですがこれを式で説明しろといわれたんですがどんな式を使うとか全くわからないので、教えてください

式は1個じゃなくていいんでしょ？
その文章の「○○すると××する」を1個ずつ式にすればいいだけじゃね？

いや一つの式だと思います
あとこの説明をしたらは？っていわれました

>>422-423
5,6時間目があったので返信が遅れてスイマセン
その後休み時間を利用して調べたところdBvとdBVを勘違いしていたようです･･･
フーリエ変換はこの実験で始めて知ったので、FFTアナライザの単位を読み間違えたみたいです
あと、理論値と実験値から電圧を逆算してみると･･･出ました　11.2V前後だったようです･･･
データは取っていませんでしたが、正弦波もFFTアナライザに入れていたので、ここから逆算した値を暫定的に電圧としてレポートを書こうと思います
締め切りまで後3日ですが･･･頑張って見ます　ありがとうございました。

これを表す公式があるようなことを言っていました

>>424
電源とコレクタの間に抵抗とか入ってるでしょ？
コレクタ電流が増えれば、抵抗の電圧降下が大きくなるだけの話。
Ic＝αIb で考えれば、後は簡単な話。

>>429
一般的には
Ic=βIbじゃないかい？

で、Ic=αIe

>>419
シンクロスコープで計測してて１０：１プローブで減衰させてるのを忘れてるとか、
フィルターの実験は理論値と実測値が良く合うことが多いよ

http://uproda.2ch-library.com/260048x9P/lib260048.pdf
真理値表は書いてみたのですが、その先はどうすれば良いのでしょうか？

解決しました

http://www.dotup.org/uploda/www.dotup.org990720.pdf.html
問題文「...exponentialに比例する」まではわかりました。その後書いてあることがわかりません。
比例と書いてあるから、(3)は(1)、(2)の結果を片対数グラフにプロットして直線になることを確かめればよいとわかるのですが、
その前の(1)、(2)がわかりません。どのような式で求めるのか？わかる方教えてください

>>434問題を訂正
http://www.dotup.org/uploda/www.dotup.org990723.pdf.html
問題文「...exponentialに比例する」まではわかりました。その後書いてあることがわかりません。
比例と書いてあるから、(3)は(1)、(2)の結果を片対数グラフにプロットして直線になることを確かめればよいとわかるのですが、
その前の(1)、(2)がわかりません。どのような式で求めるのか？わかる方教えてください

実習の考察で「順序回路とインターロック回路をPLCのラダー図、プログラムにしなさい。」とあるのですがどうすればよいのかよく分かりません
どなたか教えてもらえないでしょうか？

ある会社が、ＤＮＳのルートサーバを勝手に構築したとします。この会社が提供できるサービスはどのようなものがあるでしょうか？
課題ではないのですが、付き合って下さい

フィッシング詐欺

電気電子スレなのに…

DDoSアタック

>>437
俺俺レジストラ

真性半導体のキャリア密度、価電子体正孔密度についての質問です。

シリコンにおいて、価電子体の正孔密度pは、

k:ボルツマン定数
t:絶対温度
Ef:フェルミ準位
Ev:価電子帯の上端
m:有効質量
といた時、以下のように表せるそうです。

p=Nv*exp[-(Ef-Ev)/kt]

（Nvは=2(2*π*m*k*t/h^2)^(3/2)である。）

これをなんども導こうとしても上記のpが出ません。
誰か詳しく解法を詳しく解説していただけないでしょうか？
ちなみに分布関数や状態密度、電子濃度の式などを使います。
宜しくお願いします。

次の回路でループ方程式を立てろって問題で電源電圧の横にＥって書いてあります、それは電圧のことだとわかるんですが
コンデンサの横にもＥ1って書いてあるんです、これは何ですかね

442です返事こない気がしたので別スレで聞きます
上の質問無かったことにしてください……

英語テスト終わった…

ＲＣ回路で｜Ｖ｜と｜ＶＣ｜と｜ＶＲ｜をオシロスコープではかったんだけど

↑つづき

｜ＶＣ｜+｜ＶＲ｜が｜Ｖ｜にならないんだけどどうしてかって問題。

焦って投稿しちまった・・・だれかお願いします

オシロで絶対値測定？？

入っている信号はACだと思うが、VRとVCを見て、
信号の位相を確認してみると分かるんじゃね

わからない問題があるのでわかる方教えてください！

問　試料厚さが1ミリメートルのセラミックス板を用いて、比誘電率を測定したところ500であった。ところが、電極作成時の不備により、試料と電極との間（両側とも）に0.5マイクロメートルのすきまが生じていた。真の比誘電率はいくらと推定されるか。

そのセラミック板、どのような原理で電極と電極の間に浮いているのか気になって仕方が無いよね。

ドップラー速度計測の問題です

コヒーレント時間が100μsの波長0.6μｍの連続発振レーザーを用板ドップラー計測に考える。
計測物体の速度は光速に比べて十分に遅い。

(1)レーザーのスペクトル幅はどの程度か？
(2)この時の計測速度制度は？
(3)+30MHZのドップラーシフトの場合、計測物体の観測方向への速度はいくらか？

この授業の時に風邪で休んでしまったため、ほとんどわかりません。
どなたか、教えてください

>>448（細かいところは省略するので適当に補え）
最初は電極間隔を1�oとしたコンデンサーと仮定して測定したと思われる。
その結果、比透磁率が500（ε_a'）だった。
そのコンデンサーの容量C、電極の面積をS、真空の誘電率ε_0、比誘電率をε_a'、電極間距離d_aとすると、
C=ε_0*ε_a'*S/d_a=ε_0*500*S/{1*10^(-3)}=5*ε_0*S*10^5

実際は1�oセラミックコンデンサーと、2つの空気コンデンサーの直列合成容量だったと考える。
0.5μmの空気コンデンサの容量C_bは、
C_b=ε_0*S/d=ε_0*S/{0.5*10^(-6)}=2*ε_0*S*10^6
これが2直列になった場合の容量はC_c=(1/2)*C_b=ε_0*S*10^6
セラミック部の容量C_a
C_a=ε_0*ε_a*S/d_a=ε_0*ε_a*S/{1*10^(-3)}=ε_0*ε_a*S*10^3
3つのコンデンサーの直列合成容量（=C）は、
C=(C_a+C_c)/(C_a*C_c)
あとは適当に計算すれば、ε_aが出てくる。

多分w、これでいいはず。

ガウスの法則についてです。


ガウスの法則とは、平曲面（ガウス面）を貫く正味の電場束と、その平曲面で
囲まれている正味の電荷量を関係づける法則である。そこで点電荷が存在する
場合について、適当な半径rの円と、その円に外接する正三角形を考え、ガウス
の法則が正しい事を確認せよ。（問題を簡単にするため、本問では2次元問題と
して取り扱う事にする。）


という問題があるのですが、円と正三角形をどのように使えばよいのかがわかり
ません。ガウス面として使うのでしょうがなぜ円と三角形が必要なのかも分かり
ません。
どなたか教えてくださいm(_ _)m

>>452
> ガウス面として使うのでしょうがなぜ円と三角形が必要なのかも分かりません。
必要だからではなく、同じ条件を満たす中から選択しただけだと思うぞ。
ここでは二次元で考えるということだから…。
二つとも、（外接円の中心）に置いた点電荷に対して、それを完全に包み込む閉直曲線（三次元なら閉平曲面）という条件を満たしている。
円周を貫く電束と、三角形のそれぞれの辺を貫く電束X3が等しいことを示せばいいんじゃね？

詳しい計算などは頭がすっからかんなのでw・・・識者を待て。

>>453
ありがとうございます。
何となく分かった気がします。


まず、二次元として考えるので電界の強さは距離に反比例して
E=A/rと定義する。

Φ=E・sとすると
円について、円周は2πrなのでΦ=E・s=A/r・2πr=2πA
よってq＝2πεA

正三角形について・・・
同様に計算したら円と同じくΦ=2πA
よってq=2πεA

になりました。

円と正三角形についてqが等しくなったのでガウスの法則が成り
立つ

ってことでいいのでしょうか？

http://mcnc.hp.infoseek.co.jp/cgi-bin/img-box/img20100722101226.jpg

この１，２の問題が分かりません。どなたか教えていただけませんか？

ちなみに1は並列と直列の合成抵抗を順番に計算していって、答えは5Ωでいいですか？

はい

下は10Aに10Ω

高校生かよ

大学の問題なんですが
http://www.dotup.org/uploda/www.dotup.org1055902.jpg
上記の問題【2】〜【3】の解法をお願いいたします。

>>459
>>1

質問です
ＲＣ回路で

初期条件Vc(t)=E

Vc(t)/R+C*dVc(t)/dt=0 これをラプラス変換すると

Vc(s)/R+C{sV(s)-Vc(0)}=0

Vc(s)/R+CsV(s)-?=0

?の部分に入るのがＣＥかＣＥ/ｓか教えてください