鉱石ラジオ・ゲルマラジオについて語ろう　その3

>>885
反論のための反論じゃないつもりだが、気に障ったらごめん。

2SK3163のデータシートを読んでみたが、やっぱり>>885の勘違いじゃないかと思う。

秋月のWebサイトにあるデータシートで言うと6ページにある「逆ドレイン電流対
ソース・ドレイン電圧特性」が根拠かと思うんだが、この図が意味するところは
要するに

1. ゲート電圧がスレッショルド電圧（2V前後）より低い場合は単純なシリコン
ダイオードの順方向特性と同様の特性を示す。（これはMOS FETの寄生ダイオード
によるもの。）

2. ゲート電圧がスレッショルド電圧より高い場合はソース・ドレイン間が純抵抗と
同様の特性を示す。（これは逆電流領域だけでなく純電流領域でも同様。）

ということを示している・・・はず。

このうち1.の特性を検波に使用するのは単なるシリコンダイオードを使うのと同じなので、
MOS FETを持ち出す意味がない。また2.の特性を検波に使うには

・2.の状態を得るためにスレッショルド電圧より高いゲート電圧を与える必要がある。

・検波のためには2.の状態とカットオフの状態を半波ごとに切り替える必要がある。
（＝同期整流）

の2点を満たす必要があるのではないか。これを別付けの電源とそれによって駆動される
制御回路を用いずに実現するのは難しいように思うのだが、いかに。

>>886
お互い言っていることは同じかもしれないが、

http://www.scribd.com/doc/4551/HighSensitivity-Crystal-Set
↑で述べている動作原理は、>>886が言っている　「・２」　だ。
単純にゲルマニウムダイオードをMOS-FETに置き換えたように見えるが、
ドレイン-ソース間において順方向はカットオフ、逆方向は純抵抗になるように、スイッチしている。（英文はそう書いている）
正に同期整流をやっているんだよ。だから「・１」は話の前提にはならない。

たしかに、秋月でDLしているスペックには、
逆電圧（ソース→ドレイン方向）での純抵抗の特性グラフは、Vｇｓが５V、１０V設定である。
ただし、スレッショルドより高い電圧がどの程度かは実験してみないと分らない。
シリコンダイオードのTh電圧が0.6Vといっても、実際はそれ以下から電流は流れ始めるからね。

だから、共振回路で発生した電圧で駆動できるかが問題だと書いたんだよ。
可能性を信じるか、スペックから否定するかの選択だけだ。