>>614 pn接合ダイオードを前提にしているのか?
Siダイオード、Geダイオードと言ったって、
pn接合、pin接合、点接触、ショットキー、MIS等々
構造と物性定数の違いでI-V特性も異なる。
この聞き方だと、pn接合理論(ショックレーの理論)を理解してない?
まず、
S.M.Sze 著 "Physics of Semicondoctor Devices"でも読め。
求める全ての解はそこにある。
教えてと言っても、聞いてる側のレベルで教え方が異なるぞ。
大学生(電子工学、半導体工学)なら、
Band Gapが違うだろ。
Fermi Levelも違うだろ。
拡散電位が違ってくるだろ。
(以下省略)
。。。
考えれ。