【半導体】LEAP、不揮発性磁気メモリーで1京回書き換え実証に成功[12/06/12]

　富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー１０社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合（ＬＥＡＰ）は、
次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー（ＭＲＡＭ）「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」について、
１京（１兆の１万倍）回の書き換え回数を実証することに成功した。
不揮発性ＭＲＡＭで１京回の書き換え実証は世界で初めて。
現在、ほぼ制限なく書き換えができるＳＲＡＭは低電圧化が難しく、待機時の漏れ電流による消費電力が大きい。
今回のＭＲＡＭを実用化すれば、ＳＲＡＭを置き換えることになる。

　ＭＲＡＭのメモリー部である磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子のトンネル絶縁膜（酸化マグネシウム層）の形成方法を工夫することで実現した。　
具体的にはＭＴＪは現在、同絶縁膜をコバルト鉄ホウ素ではさんだサンドイッチ構造なのに対して、絶縁膜の下に結晶の「コバルト鉄シード層」を挿入。
これにより従来に比べ全体の結晶性を良くし、０・５ボルト程度の低電圧動作で１京回の書き換えができることを確認した。

　同組合では２０１２年度中に３００ミリメートルウエハーを使って回路線幅６５ナノメートル（ナノは１０億分の１）技術による試作チップをつくり、
ユーザーの評価などを得て１５年度をめどに実用化を目指す。

　同研究は、新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の受託事業の一環。

http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201206130011.html

書き換えで劣化するのは何故でしょう？　量子力学的見地からお願いします。

実用化は遠いの？速度はどうなの？また"アレ"に持っていかれるの？

バブル、インサイダー、もう悪い意味で使われる言葉だから商品名は考え直さないと

65ナノか。
まだ実用化には遠いな。

渡辺いっけい

ＭＲＡＭってなつかしいな、まだ研究やってたんだ

性能面でMRAMでないと無理な用途があるからな

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俺の脳みそより多いんだな

どうせこの技術も日本人技術者も、また韓国に盗まれるんでしょ?
日本人と日本政府と日本企業はバカだから。

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MRAMなんて2000年ごろには実用段階に入るはずだったのに。

>>11
いつも思うんだけど、どうしてデータが流出しても真似できないようにしないんだろう。

>>13
技術の詳細がわからなくても「実現した」という情報だけで充分だったりするんだよな
その技術だけに投資と研究を集中できる

容量が増えてくれれば