トクヤマは、窒化アルミニウム(AlN)メタライズ基板の微細化を加速する。
配線幅/配線間隔(L/S)を30/30マイクロメートルとする。
より細かな配線パターン形成技術の確立を目指すもので、重点領域に位置づける発光ダイオード(LED)で広がっている
フリップチップ実装に対応する。
このほか、上下面の電気的導通を確保できるビア基板の開発も進めており、品揃えの拡大により市場開拓に拍車をかけていく。
配線の微細化は、銅を導電体としたAlN基板で進められているもので、L/Sを既存品の60/60から30/30マイクロメートルにまで
高める。これによりLEDチップと基板の間を、ワイヤーを使わずに直接接続するフリップチップ実装に対応する。
この実装方法は、デバイスの微細化を目的としたものであるため、それだけ放熱ニーズも高いといえ、AlNの特徴がより生かされる。
▽ソース:化学工業日報 (2010/05/25)
http://www.chemicaldaily.co.jp/news/201005/25/01402_2121.html