【頑張れ国産】エルピーダ、ルネサス、東芝等国内半導体産業総合スレッドPart36[09/12/29]
いつ見ても絶望的な雰囲気のスレだね ;;
>>215 胃が痛くなるね
>>222 ライバル蹴落とすために、値段を下げるのが普通の会社
東芝だってガンガンやってシェアを上げている
高値で売ろうとするエルピーダが相手にされなくなるのは仕方ないこと
225 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/19(火) 21:18:04 ID:HOVz6or0
>>224 社長が重電上がりに変わって投資もしょぼくなったんじゃないの???
原発投資は惜しみなく半導体なんて儲からないからそろそろ切り売りしようなかぁ〜〜〜
って考えているんじゃなくて???
東芝?半導体はやる気満々だよ。
>>214 分離後シビアに考えると、設計は国内に発注する義理が無い訳で、
先端プロセス、国内工場はTSMCに勝てるかな・・・。
あと、既存のプロセス、工場、商品はどうします?
結局、リストラしか無いんだろうけど。
228 :
214:2010/01/20(水) 01:08:18 ID:94NWtGm3
>>227 突っ込みへの個人的な解答です。
既存のプロセスは需要が伸びているデバイス向けに転換。
125mm、150mmのラインは、需要の安定しているディスクリート向けを残して、
L日亜化学、豊田合成とかのLEDメーカーに売却。
LEDメーカーは、LEDテレビやLED照明などで需要が爆発的に伸びてきている割に
保有するキャパシティが少ないので、補完関係になるし、小口径ラインでも競争力を発揮できる。
200mmラインは、アナログ半導体と、これまた需要の伸びているパワーデバイスの生産に振り分ける。
300mmラインは旧ルネサスの那珂、旧NECエレの山形、Panasonicの魚津、富士通の三重と4カ所もあり、
明らかにオーバーキャパなので、再編しないといけない。
Panasonicの魚津は、これも需要の伸びているCMOSセンサ向けに転換。
旧ルネサスの那珂はアライアンスの研究拠点とし、試作ラインにする。
すでに、ルネサスとPanasonicの共同研究が行われているのでこれを拡張すればいい。
残ったのは、旧NECの山形と富士通の三重工場。
山形は、マイコン等のルネサスの自社製品とゲーム機向け半導体などのDRAM混載製品で埋める。
これで、旧ルネサス+旧NECエレ分の需要を満たすことができる。
三重は、PanasonicのAV機器向けSoC、CanonやNikonのデジカメ向け画像処理SoC、
Sunと富士通のサーバー向けプロセッサ、トヨタやホンダの車載向けLSI等で埋める。
この辺のアプリケーションは、自社のノウハウの固まりなので、機密保持の観点や、綿密なすりあわせの必要性から、
少々生産性で劣っても、国内工場に発注するインセンティブがあるだろう。
大人しくTSMCに全部外注すれば?
あるいは今GFに大々的に外注すれば優良顧客として色々意見聞いてもらえるかもね
こんなに安易に生産品を転換できると思ってる人は初めて見たわぁ。
需給をパズルの組み合わせくらいにしか思ってないんだろうな。
231 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/20(水) 04:18:42 ID:35g79ggM
>>230 > こんなに安易に生産品を転換できると思ってる人は初めて見たわぁ。
> 需給をパズルの組み合わせくらいにしか思ってないんだろうな。
珪酸省とその御用学者も、同じようなことを考えていますが、何か?
何が支配的要因かを考えもせずに、最もらしい屁理屈をデッチ上げる人が、この国では出世します。
こんな国では、お上の言う事を聞いていると、もう亡国の道しか無いってことですよ。
>>229 TSMCは45nm以降の先端品の性能に
疑問符がついてるらしい。
233 :
シュレーディンガーの猫 ◆D0G/R0r/W2 :2010/01/20(水) 13:59:23 ID:jwjKrekg
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./ ヽ |.::.::.::ト、./〃{{ヘ/ `ヽ{ ィヽソ|
>>232 性能に疑問符という意見は見覚えないけどなあ
40nmの歩留まりなら問題はあったがもう解決したみたいだし
ハイニックス、'6Fスクエア'導入…生産性高める
30ナノ級工程から導入、生産性の15%向上を期待
入力:2010.01.20 11:00
http://www.edaily.co.kr/news/Enterprise/newsRead.asp?sub_cd=IE11&newsid=01863046592839688&MLvl=2 [イーデイリーキム・ジョンス、チョ・テヒョン記者]ハイニックス半導体(000660)(25、400ウォン200 -0.78%)が、
次世代の30ナノ級のDラム工程から、6Fスクエア(6F2)技術を導入する。
20日の業界によれば、ハイニックスは30ナノ級工程への開発を、早ければ年末までに終えて6F2技術を導入し、
本格量産に突入する予定だ。
6F2技術は、米国のマイクロンが去る2002年に130ナノ工程で、最初に導入した。 引き続き三星電子
(005930)(834,000ウォン11,000 +1.34%)が、2007年の1分期に80ナノ工程に導入し、エルピーダは2008年の1分期
に65ナノの工程から適用した。
6F2は、半導体の集積度向上のための技術で、半導体のセル大きさを減らすことをいう。
ハイニックスは今まで8F2技術で半導体を生産してきた。 これはセルの大きさが2F×4Fの半導体をいう。
6F2は、セルの大きさを2F×3Fに減らし、生産性の向上をもたらすことになる。 理論上約15%程度の生産性
の向上を期待することができる。
セルの大きさが小さくなり、一定のウェハーから生産できる半導体の数量が、増えるためだ。 (図参照)
今までハイニックスは、8F2技術を適用し、半導体を生産してきた。 しかし30ナノ級工程に突入したことで、8F2
技術では生産性の向上に限界があるという判断により、6F2技術を適用することにしたのだ。
6F2の技術導入が、ハイニックスに及ぼす影響に対しては、見解が交錯している。
一部では三星電子など6F2を導入した会社が、導入初期に収率の下落で苦戦したという点を指摘している。
業界の関係者は"三星電子が6F2技術を導入した以後、収率が改善されるまで3分期程度の時間が
かかった"とし、"ハイニックスも当分苦戦する可能性がある"と説明した。
しかし6F2はすでにある程度成熟期に入った技術のため、全く問題がないという見解も侮れない。
証券街のある関係者は"ハイニックスが、今まで研究を繰り返していたため、収率の下落などの副作用
期間は、他会社に比べて、大きく短縮できるだろう"と話した。
彼は"今まで8F2技術を適用していたのは、ナノ工程で競争会社より少しずつ先立ち、6F2技術を適用し、
生産するのと同等な水準の生産性を持つことができたため"とし、"進んだ技術適用により、生産性がさらに
高まるだろう"と付け加えた。
http://image.edaily.co.kr/images/photo/files/NP/S/2010/01/PS10012000022.JPG
238 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/20(水) 22:33:53 ID:rohtV1m8
)、._人_人__,.イ.、._人_人_人
<´ お 金 返 し て っ ! >
⌒ v'⌒ヽr -、_ ,r v'⌒ヽr ' ⌒
// // ///:: < _,ノ`' 、ヽ、_ ノ ;;;ヽ //
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240 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/21(木) 23:34:15 ID:2SVeJSiq
>>219 DRAMとロジックってそんなに構造ちがうものなの?
数年前だかのエルピーダ坂本ちゃんが
製造装置1割くらいしか違いないから十分流せる って言ってた気がする。
トレンチならともかくMIMキャップのスタック構造なら大して変わらんのでは?
MIMキャップにサンドイッチする誘電体くらいしか特殊性ないんじゃないのか?
というのはシロート考えかなあ?
配線層、Low-K、拡散層 十分共通技術なんじゃない?
まあHKMGに急いで対応する必要がDRAMにはなさそうなんで
高速ロジック向けとかにはどうなのかな。
国内先端プロセスはエルピーダへ委託すればいいんじゃないかしら。
プロセスは共同開発として
エルピーダ1チップ2ドルとして1000チップ切り出せる300mmウェハって2000ドルなんでしょ?
#まあ2層配線かもだが
ロジック向けにオプション追加して3000ドルとしても激安なんじゃないの?
TSMCも真っ青 とか妄想
242 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/22(金) 15:24:47 ID:1QAE+xbK
坂本は体育大出身でハッタリには定評がある
おいらも素人なんでよくわからないけど
トランジスタの特性が違うとか?
一つのプロセスをとってみても、トランジスタ特性のバリエーションは様々。
↓NECエレの各プロセスにおける動作スピード別の特性一覧
ttp://www.necel.com/process/ja/standardcmos.html 機材が同じでもエルピーダにはロジック向けの特性のトランジスタの製造ノウハウがあるかわからなし。
一応UMCと共同プログラムをいくつかやってるから、
将来的にUMC互換のロジックファブにする構想とかはあるのかもね。
244 :
>>241:2010/01/22(金) 16:22:48 ID:w8iUi8em
>>243 DRAMとはいっても、
記憶素子(キャパシタ)だけでなくて
ラッチ(フリップフロップ)、アドレスでコーダ、カウンターなどの
ロジック系素子も混載しているから、
出来ないわけがないんじゃね?、とは思うんだがね。
エルピーダで問題なのは人手が足りないということだろう。
スタセルとかメモリ(SRAM,DP-RAMとか)、PLLとか
IPを準備するのに手が回らない。
だからこそNエレなりが組めばいいのに、とは思うが。。。
UMC互換か、、、
UMC自体と台湾がどう思ってるのかが微妙。
敵に塩と思ってるんじゃないかしら?
ロジックファンドリーやるならば台湾勢は基本敵に回す覚悟が必要なんだと思う。
#支配的影響下のレックスはいいかもしれんが
技術的に出来るのと商売になるのは別だろう
本気でやる気が無いならすぐ終わる
よく知らないけどメモリマットは最小ルールで設計できるが
ロジック部はルール緩めるとかかな?
ロジックのパターンは半端ないカオスになるからなぁ
規則性よくないとうまく現像できんだろうとは思う
DRAM工場の中でロジック作って、おかげで装置のスループットが
落ちるなんてことになったら目も当てられん
>>247 混流は難しいかもね、
あれはファンドリーサービスに特化しているから出来るワザかもね。
DRAMはそろそろ65nm装置が現役引退しはじめるだろうから、
そこをロジック専用にすればよいのでは?
なに言ってんだ?
65nm装置って専門にあると思ってるのか?
で、プロセスルールが進めばそれが不要になるとでも思ってるのか?
40nm付近からは液浸じゃあないの?
まあスキャナーだけが装置じゃないけど
露光機もルールが進めばお払い箱になる訳じゃない。
どうにも馬鹿が多くていかん。
今、半導体って何層の構造になっててデザインルールってのはそのどの部分を指すのか
なんて知らない人間がこのスレに来てるのか?
レイヤーによって露光機使い分けてるなんてのは常識だと思うんだが。
>>251,252
はあ? たいそうなものいいですなあ。
仔細は知らないが、
トランジスタとコンタクトあたりまでが最新鋭で、
それ以上は古いのでもOKってことなんでしょ。
だからどうした?
エルピーダ広島は銅配線層はUMC委託なんじゃなかったっけ?
もう内製してんの?
配線層作ってないのに、装置使いまわすのか?
オイラが勘違いしているか、知らないだけかもしれないね。
そうならば撤回します。
255 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/24(日) 21:07:40 ID:ct4q9oEU
いい加減需要が減ってきたからじゃね
>>220 >年代からすると相磯秀夫大先生の弟子か?
いいえ。新美達也先生の弟子です。化合物半導体を研究していたはず。
明日はエルピ、フォスター、日本電産の好決算トリオに期待
>>261 ここは国産を応援するスレであり、
ネトウヨが涌いてくる韓国の話題は不要
>>263 まあそうだけど、あそこは過酷だからね。
そういうことが起こっても何ら不思議ではない。
265 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/28(木) 05:34:42 ID:6jAgko4N
>>254 それたぶん勘違いですよ。
配線層だけ別工場で作るなんてことは普通やりません。
生産性も落ちるし、それにウェハにも優しくないですからね。
一度大気に出すだけでも、パーティクルやコンタミを考慮しなきゃ
なりません。そうなってくると追加でいくつか工程増えちゃいますよ。
コスト競争をやるDRAMでそれは命取りだと思います。
266 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/28(木) 05:54:41 ID:6jAgko4N
>>254 ついでに詳しく言うと、
露光機もルールが進めばお払い箱になります。
線幅ではなく生産性の観点でですが。
現在DRAMメーカーは300mm対応装置を使い始めた頃合ですから、
300mmに対応してない装置はお払い箱でしょう。
ロジックはまだ先の話でしょうけど。
>>252 メモリの場合、4F2セルだとメタル層でもルールの最小線幅になっちゃいますがね。
268 :
>>254:2010/01/28(木) 13:30:13 ID:Z6CuEL7H
269 :
名刺は切らしておりまして:2010/01/28(木) 15:14:50 ID:W3EbRXGa
270 :
シュレーディンガーの猫 ◆D0G/R0r/W2 :2010/01/28(木) 15:21:24 ID:aMj7LY3g
明日の株価が楽しみだ
株乞食
エルピーダは雨後の筍のようにメーカが乱立してた台湾でDRAM半導体連合を作る動きをすることで
DRAM価格を安定させた。
策士といえるが、これってカルテルで多額の追徴金取られる案件になるんじゃねーか