【半導体】韓国のサムスンとハイニックス：次世代メモリーMRAMを共同開発…政府は一部を支援 [08/06/25]

1 ：明鏡止水φ ★：2008/06/25(水) 23:40:52 ID:???

　【ソウル＝鈴木壮太郎】韓国政府は25日、半導体メモリー世界首位のサムスン電子と
ハイニックス半導体が次世代メモリーとして有望視されるMRAM(磁気記録式メモリー)を
共同開発すると発表した。MRAMは米国も国家プロジェクトとして取り組んでいるほか、
日本の電機大手も開発を急いでおり、日米韓の開発競争が激しさを増しそうだ。

　9月に共同研究開発に着手する。両社と大学・研究機関がそれぞれチームをつくり、
月1回の定期会合で成果を共有する方式で進める。2012年までに開発を終え、13年ごろの
量産を目指す。

　当面の開発費は240億ウォン(約25億円)で韓国政府は国家プロジェクトに位置づけ、
一部を支援する。

▽News Source　IT+PLUS 2008年06月25日21時27分
http://it.nikkei.co.jp/business/news/index.aspx?n=AS2M2502G%2025062008
▽Samsung Electronics
http://www.samsung.com/
▽Hynix Semiconductor
http://www.hynix.com/
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2 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/25(水) 23:48:59 ID:BNGtOrDh

２？

3 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/25(水) 23:53:57 ID:biLle51D

ハイソックス

4 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/25(水) 23:57:52 ID:jcjYv88w

>開発費は240億ウォン(約25億円)で韓国政府は国家プロジェクト

IMFに返せよ、乞食チョソ！

5 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:07:34 ID:bjxQXHZm

ダンダンダンピング

6 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:15:12 ID:ubwPBnc7

　官民癒着？

7 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:18:07 ID:To70u9KA

韓国ではこういう事前発表は単なる願望表明の場と認識されている

8 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:19:51 ID:vDcQRCPZ

MRAMが世に出れば結構インパクトあると思うんだけど、どうなんでしょう？

9 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:32:26 ID:Icj2ZIb6

日本政府は日本国内の技術者の流出を防ぐだけ。
あと大学、企業にチョンを寄せ付けるな。

10 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 00:41:13 ID:D1DjOmyb

KRAMにしとけ。キムチ臭が分かるように

11 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 03:55:45 ID:xswDfIZJ

糞スレ

12 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 04:01:16 ID:smbRTNjG

また、パクりか。

13 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 04:07:28 ID:mBxGYLZz

また、ダンピングか。

14 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 04:17:57 ID:9PggJrc5

ダンピングておまいら喜んで買う癖に

15 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 04:30:45 ID:8I1K25Fp

海外ではモトローラや IBM がいち早く開発を開始し、既に16MbitのMRAMが試作されるに至っている。
一方国内では、NECと東芝が2年ほど遅れて2003年度から国家プロジェクトをたてて本格開発を開始
したところである。

　1995年に東北大学の宮崎教授らのグループが開発した強磁性トンネル接合は、近年のスピントロニ
クスの基礎となる重要な要素技術である。2006年にこの強磁性トンネル接合を用いたMRAMが米国
企業により実用化された。しかし MRAMの容量は100メガビット程度が限界であり、大きな応用が見込
まれるギガビット級の大容量化のためには、情報の読み出しと書き込みの両面で、ブレークスルーが必
要とされていた。

　読み出しの問題は、産総研が2004年に絶縁層にMgOを用いた巨大トンネル磁気抵抗効果を示す
強磁性トンネル接合を開発したことにより解決された（2004年3月2日、同年9月7日プレス発表）。現在、
書き込みの問題が課題として残されている。その解決手段として期待されているのが、スピンRAMとよば
れるスピン注入磁化反転書き込み型MRAMである。スピンRAMはスピン注入トルクにより磁化反転を行
うもので、現行のMRAM方式（磁界により磁化反転を行う）で問題であった大容量化による消費電力の
急増という問題が原理的に存在しない。

　しかし、現在のスピン注入磁化反転に必要な電流はまだ大きすぎる。それを低減することのできる大き
なスピン注入トルクを発生する新材料の開発が必要である。ところが、これまでは、スピン注入トルクの測
定手段がなかったため、材料開発に当たって手がかりがなかった。

　本研究チームは2005年にスピン注入トルクを直流電圧に変換するスピントルクダイオード効果という現象
を世界で始めて報告した（2005年11月17日プレス発表）。今回、この効果を利用してスピン注入トルクを
定量的に評価する方法を世界に先駆けて構築した。
　本成果は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構が、ナノテクノロジープログラムの一
環として実施しているプロジェクト研究「スピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト」の研究成果である。

韓国が遅れてるってだけなの？？

16 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 04:59:37 ID:ii/QPmTc

>>15
凄エェェェ

17 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 05:15:05 ID:smbRTNjG

>>15
実用化が見えてきたから、コピーの準備に入りましたってことじゃないの？

18 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 05:22:46 ID:5UrBqX9D

>>17
コピーっていうか生産技術レベルでの競争に参加するってことじゃね。

でも韓国は日本ほど材料系に強くないから辛そう。

19 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 05:45:09 ID:hIroPEOM

MRAMには結構期待してるから純粋にがんばってくれ

20 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/26(木) 11:42:51 ID:cMQuOYEA

DRAMとの違いをガンダムに例えて教えてくれ

21 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/27(金) 01:03:02 ID:XmZslA5w

国家プロジェクトっていったい････

22 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/27(金) 01:06:57 ID:IyTK3G49

電気を貯めるのがDRAM
磁気を貯めるのがMRAM

23 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/27(金) 01:25:20 ID:TnGTHC7I

上海リニアに乗って謝罪と賠償シナリオ

24 ：名刺は切らしておりまして：2008/06/28(土) 20:38:05 ID:05jAIoz4

PRAMとReRAMに期待してるんだけどなー
なんでMRAMが大勢を占めてる感があるんだろう