【半導体】インテル(Intel)とSTMicro，128MビットPCMをサンプル出荷，マルチレベル・セル版PCMも開発 ［08/02/07］

米Intelと仏伊合弁のSTMicroelectronicsは米国とスイスで現地時間2008年
2月6日，業界で初めて記憶容量128Mビットの相変化メモリー（PCM：Phase
Change Memory）LSI「Alverstone」（開発コード名）のサンプル出荷を
始めたと発表した。携帯電話機や組み込み機器のメーカーなどに評価用として
提供する。製造プロセス・ルールは90nm。ただし，量産出荷の開始時期などに
ついては公表していない。

また両社は，カリフォルニア州サンフランシスコで開催中の国際固体素子回路会議
（ISSCC）2008で，マルチレベル・セル（MLC）技術によるPCMの大容量化に
関する論文を発表した。1つのメモリー・セルに複数ビットの情報を格納できるよう
にすることで，大容量PCMの記憶容量単価を低減できると見込む。

PCMは，データを電気として保存するのではなく，特殊な素材の状態（相）を
アモルファス状態から結晶状態に切り替えることによりデータを保存する新方式の
メモリー素子。電力を供給しなくても記憶した情報を保持できる不揮発性メモリー
（NVM）の一種である。現在NVMとして普及しているフラッシュ・メモリーに
比べ，データ読み出し／書き込み速度が非常に速く，少ない消費電力で作動する。
そのため，フラッシュ・メモリーを置き換え，高密度データ・ストレージ向け
メモリーなどの応用が考えられる。

米メディア（CNET News.com）によると，両社が論文で発表したMLC版PCMは，
0と1の情報を割り当てるアモルファス状態と結晶状態に加え，2つの中間状態を
再現できるようにしたもの。この中間状態にも情報を割り当てることで，
単一メモリー・セルで複数ビットを表現しているという。

ソースは
http://itpro.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20080207/293240/
依頼を受けてたてました。

２だ

>ＭＬＣ版
３相状態を任意で操作出来るようになったってことなのか
それとも結晶構造の抵抗値とかを単純に強度を三つに分けて
検出できるようにしたのか・・・・？

レーザー光による相変化を利用したＣＤ−Ｒ
があったような気がしたけど、それをチップ化したって
ことなのかな

これってNANDのパワーアップ版みたいなもん？

PRAMじゃないの？

NANDは書き換え寿命あるけどこれはどうなん？

もし寿命に問題が無いなら、SSDのライトバックキャッシュに使えるんだがなー
…たぶんあるんだろうなぁ

非常に速い？消去＆書き込み時間の１０ｍｓが５ｍｓとかになったとか？

＞書き込みサイクルはなんと1億回前後もサポートできるんです

うわ、すげー書き込み回数じゃんｗ。
意味わかるか？

>最近開かれた米Applied Materials社主催のセミナーでは、PCMはセルサイズ、
>ダイサイズ、コストの面で魅力的だという意見で一致していた。PCMは
>最高50ナノ秒の読み取り性能、無限の読み取り耐久性、最高10年間の
>データ保持、最高100ナノ秒までの書き込み性能、そしてCMOS互換性を
>備える。PCMはビットレベル書き込み能力という点で現在のフラッシュ技術
>を超え、書き込み前に消去を必要とせず、最高10^8サイクルの書き込み
>耐久性を持つ。
http://www.sijapan.com/issue/2008/1/u3eqp300000208ea.html
未来のメモリー

1億回同じセルに書き込んだら、終わりなんだろ？ 使えねえｗ
まあそっちもウェアレベリングすれば足りない事もないか

>>11
ＰＣの主記憶には激しくつかえねー。書き換え回数に制限があるという
時点で乙。

書き換え回数からすればＨＤＤの置き換えしかないな。
単純計算で1GHzで連続で書き換えができたとすれば１秒で寿命がくる
ＳＳＤ（フラッシュメモリ）で数万〜最高でも１０万回程度。
FRAMで１００億回程度

フラッシュメモリの置き換えというところだろうな。容量的にまだ
３桁のアップ後じゃないと無理だろうけど。

フラッシュの置き換えったってあっちはもう32Gbチップとか作ってるしなぁ
SSDっていうパッケージで、NANDを記憶装置・PCMを（ライトバック）キャッシュに使うのが良いんじゃね
NANDの低ランダムライト性能と寿命を補う手段が欲しいから
＞ 最高50ナノ秒の読み取り性能、最高100ナノ秒までの書き込み性能
これが、HDDコントローラ経由だと生かしきれないのが勿体無いけど

>>１２
ちなみにPCMのチャンピオンデータは１０の１２乗回の書き換え回数だぞ。
十分じゃね？
しかも、読み出し、書き込み、消去時間すべて数十ナノ秒。
FlashとDRAMと両方の機能を兼ね備えた夢の素子。
上二つの酸化膜の微細化限界を考えたら、次はこれかMRAM。

ソースはIEDMとかの論文で出ているから探してくれ。
たしか２００１年の文献でもう↑ぐらいの報告がされているからな。
はやく実用化してくれ。

容量が少ないと意味ないよね
フラッシュメモリの利用が拡大してる理由も大容量になったからだろ