【半導体】TDKとIBM、新型半導体メモリーを共同開発…4年後めど・回路線幅65ナノ [07/08/21]

1 ：明鏡止水φ ★：2007/08/21(火) 07:20:31 ID:???

　TDKと米IBMは新型半導体メモリーの共同開発を開始したと発表した。IBMが研究してきた
メモリー技術にTDKの磁性材料技術を取り込み大容量化開発を進める。4年後をめどに
回路線幅65ナノ(ナノは10億分の1)メートルの製造プロセスを開発する方針だ。

　両者が共同開発するのは｢MRAM｣と呼ばれるメモリー。電源を切っても情報が消えず、
読み出しスピードが速いことが特徴。現在、パソコンや携帯電話に使用されるフラッシュ
メモリーやDRAMなどの性能を併せ持つが、記録容量が小さいのが欠点とされる。

　MRAMは米フリースケール・セミコンダクタが商品化しており、東芝など他の半導体各社も
開発を進めている。TDKとIBMは集積度を高め、現行のDRAMと同等レベルの容量に高める考えだ。

[2007年8月21日/日本経済新聞　朝刊]

▽News Source　IT+PLUS 2007年08月21日07時00分
http://it.nikkei.co.jp/business/news/index.aspx?n=AT1D2005K%2020082007
▽TDK　株価 [適時開示速報]
http://www.tdk.co.jp/
http://company.nikkei.co.jp/index.cfm?scode=6762
http://smartchart.nikkei.co.jp/smartchart.cfr?scode=6762.1
▽東芝　株価 [適時開示速報]
http://www.toshiba.co.jp/
http://company.nikkei.co.jp/index.cfm?scode=6502
http://smartchart.nikkei.co.jp/smartchart.cfr?scode=6502.1
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2 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:22:17 ID:0ZxrfSCF

アッー！

3 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:30:06 ID:fOpnVJCD

どうせアメリカ安売り合戦になれば脱落するんじゃないの？

4 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:40:02 ID:dx4aODBo

MRAMはDRAMよりも読み出しスピードが速いってどれくらい？
デュアルにしたDRAMよりも速いなら魅力あるかも。

5 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:41:29 ID:zNyl1VQm

>>4
ここの記事が詳しいね
http://journal.mycom.co.jp/news/2002/11/27/06.html

6 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:44:46 ID:zNyl1VQm

IBMはMRAMの研究を独Qimondaや台湾Macronixとやってた筈だけど
これにTDKが加わったってことなのかな？

7 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 07:59:22 ID:6yNBm58f

汚い合併だなあ

8 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 08:01:45 ID:dx4aODBo

>>5
サンクス。
MRAMはフラッシュメモリーよりは書込み速度が速いのであって
DRAMとは大差ないのか。
消費電力も少ないし、携帯用MRAMが出ると重宝しそう。

9 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 08:13:19 ID:woqExQz6

アッー！

10 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 08:15:58 ID:+VT7nvaD

磁気メモリというとバブルメモリを思い出す

11 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 08:17:37 ID:uKu8xQBu

この頭文字のDとかMって何の略なの？
RAMはRandom Access Memoryの略だけどさ。
アメリカのハリケーンみたいに開発された順番？

12 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 08:25:52 ID:/XceOsMG

以下アッー！禁止↓

13 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 09:10:14 ID:6GG4+e9T

>>11
ググレカス

14 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 09:11:34 ID:BJKn3tcp

>>11
前レスぐらい読んだら？
>>5

15 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 10:08:54 ID:OrKgioI8

メモリ版のSED、有機ELだろ。
いつまで待っても実用化されない。

16 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 10:15:42 ID:wUp/1OfW

ホルホルホル
忙しくなってきたニダ

17 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 10:44:08 ID:w5G5zTzL

アッー！イビーエム。

18 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 10:57:49 ID:lTMtKkp/

ちょっと遅すぎやしないか？

19 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 11:07:55 ID:V1hQ31NB

MRAMには磁石近づけると物理的に壊れて使えなくなるという弱点があるらしい。

20 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 20:04:24 ID:NtjY4rEe

>1
日経はまともにニュースも伝えられないんだな。

IBMの不揮発性磁気メモリ開発、STT-RAMへと方針を転換
http://japan.zdnet.com/news/hardware/story/0,2000056184,20354812,00.htm

21 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 20:24:07 ID:Dp4CkxIR

庶民が搭載製品を買えるようになるのは15年後かな

22 ：名刺は切らしておりまして：2007/08/21(火) 21:20:07 ID:zNyl1VQm

>>20
他記事では「スピン注入磁化反転法ベースの新型MRAM」って呼んでるみたい

経緯とかはここが一番詳しいと思う
http://www.eetimes.jp/contents/200708/24045_1_20070821201603.cfm