【半導体】シャープ、次世代不揮発メモリー｢RRAM｣の基礎技術を開発…産業技術総合研究所と共同で [06/12/12]

　シャープは11日、産業技術総合研究所と共同で、次世代の不揮発メモリー｢RRAM
(抵抗式随時書き込み読み出しメモリー)｣の書き換え方式についての基礎技術を開発
したと発表した。回路設計を単純化し、現行のフラッシュメモリー並みに小型化
しても高速で読み書きできるとしている。実用化に向けて開発を加速する。

　RRAMは金属酸化膜の電気抵抗の変化を記憶情報とするメモリー素子。少ない
消費電力で大容量データを高速で書き換えできるが、従来は高速化するにはメモリー
素子を大きくする必要があった。今回、｢高速ユニポーラスイッチ方式｣と呼ばれる
独自の書き換え方式を開発し、単純な回路でも高速で読み書きができるようにした。

[2006年12月12日/日経産業新聞]


▽News Source　IT+PLUS 2006年12月12日07時00分
http://it.nikkei.co.jp/business/news/index.aspx?n=NN001Y327%2011122006
▽シャープ　株価 [適時開示速報]
http://www.sharp.co.jp/
http://company.nikkei.co.jp/index.cfm?scode=6753
http://smartchart.nikkei.co.jp/smartchart.cfr?scode=6753.1
▽産業技術総合研究所
http://www.aist.go.jp/
▽関連
【頑張れ国産】エルピーダ、ルネサス等国内半導体産業総合スレッドPart10 [06/10/05]
http://news18.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1162684230/

ﾆﾀﾞ

>>2
朝鮮帰れ！

打倒サムソン

フラッシュ以上に耐久性が低い気がするんだが、、、気のせいか

半導体大手のｳﾘと技術提携しないﾆｶ？

>>6
自分たちで作って、起源を主張しろ。

<丶｀Д´>絶対パクってやるニダ！

MRAMといいホログラムディスクといい、見出しだけが豪勢な技術がここ数年多いからなぁ・・・・。

>>9
なかなか実用化しませんな。
ＤＲＡＭが今後も主役になるとはとても思えないので
出れば一気に代替されると思うんだけどね。

結局は容量対価格で決まる世界。

>>10
うん、どれもこれも夢たっぷりなのにちっとも実現しやがらねぇ。

SEDや有機ELもそうかだが、ここ数年で最大のガッカリはホログラムディスク、
NTTがインフォ・マイカっていうのを04年に発表、2006年（！）には切手サイズで
10GBのモデルも出てるはずが、GBどころか製品化もされてない。

その技術

チョンが盗むに５００ウォン！！

MRAM 名前が各メーカーで少し違うけど
もう発売してるよ　８Mとかだけど

本当に使える有力候補なら、商品は数ヵ月後に出せるだろうし、
主流の代行としても１，２年先には今のメモリをすべて置き換えるほどで
なくては画期的ではないし、夢の中の産物だろう。
抵抗として記録するのだから熱に過敏なんだろう、大容量にして集積した場合
にアクセス内容のバランスとか頻度とか室温とかメモリの内容を維持するのに
特別な回路が必要と思う。
その特別の回路が素子単位に必要であるとすれば普及などありえないゴミ以下。

電荷量で記録する今のメモリもかなりぎりぎりの橋を渡ってる構造だと思うぞ
DRAMなんかデータを読んだ瞬間にそこに入ってたデータが壊れるから
再度書込まなきゃいけないそんな素子だ

http://news18.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1165887316/