【半導体】次世代メモリー「PRAM」、エルピーダメモリが年内出荷 [06/06/05]

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1明鏡止水φ ★
 半導体大手のエルピーダメモリは年内に、飛躍的に記憶容量を増やす可能性のある次世代型の
半導体メモリーの出荷を始める。パソコンや携帯端末などで、現在よりはるかに高速で大容量の
データを処理できるようになる。次世代型半導体メモリーは、米インテルや韓国サムスン電子
なども開発を急いでいる。エルピーダはいち早く試作品を出荷して顧客の反応を探り、2―3年後
の量産を目指す。

 次世代メモリーは「PRAM(相変化式随時書き込み読み出しメモリー)」と呼ばれ、高精細の動画
などが、少ない電力で扱えるようになる。現在のメモリーは動作が速い「DRAM(記憶保持動作が
必要な随時書き込み読み出しメモリー)」と、記憶量の多い「フラッシュメモリー(電気的に一括
消去・再書き込み可能なメモリー)」の2種類が主流だが、新メモリーは2つの長所を合わせもつ。


▽News Source NIKKEI NET 2006年06月05日07時01分
http://www.nikkei.co.jp/news/sangyo/20060605AT1D020BQ04062006.html
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2名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:08:54 ID:H8Q9YerQ
すげぇ。。。
3名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:09:03 ID:wEjHq4/Z
2ゲット
日の丸半導体ガンバレ!
4J('A& ◆XayDDWbew2 :2006/06/05(月) 07:12:52 ID:Tq4KXOL4
問題は値段だ。
5名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:20:33 ID:H8diFyaH
手ごろな値段で出てくれるならありがたいよな。
消費電力が下がるのはありがたい
6名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:26:16 ID:mgmERTzg
プラム
7名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:42:49 ID:GUdUuCX2
つーか未だにSD-RAMでDDR買おうかなーと思ってるうちにDDR−2とか訳わかんなくなって
そうこうしてる間にさらに次世代か まぁ困らんけど
8名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:45:38 ID:djtVZ/ST
DRAMだと4GB積むのが精一杯だけど
これなら32GBくらいいけるかな?
9名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:48:28 ID:CV/p2It7
チョンやアメがファビョりそうだなや
10名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:50:48 ID:rr2OIr+L
>>4
エルピーダがやる限り、値段が下がることはありえない。
安売りするにゃ生産設備が足らんよ。
11名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:50:52 ID:XK6pYT8w
AMDが採用すればいいんだがな。
インテルとは別路線で行きたいだろうし。
12名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:54:49 ID:jNhKYN6Y
チョソが双眼鏡で覗いてますよー気を付けて
13名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 07:56:36 ID:bgNCW6g9
PRAMよりMRAM
14名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:05:02 ID:lkbbKWki
日本で作ると価格で負けるから サムスンに作らせて解決
15名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:35:41 ID:I5plwpNo
>>8
4GBとか32GBと書かれると4MBとか32MBの時代を思い出す。
16名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:43:59 ID:71jogXfi
多少高くても俺はエルピーダを買う。
サムスンを買ってる貴様は非国民、在日だ
17名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:45:16 ID:TO7vHVi5
>>14
サムスンの価格優位ももう・・・
18名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:51:07 ID:lkbbKWki
安く無い国産に 価値は無いよ
安い事は 最高の付加価値
19名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:52:26 ID:RVVdbh9P
サムスンが最初にやると思ってたが
エルピーダとは意外だな
20名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:52:53 ID:VvXzy1Kz
>>16
周りのものすべて日本製にしなさいよ。
一次産品は入手し易い。
21名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:55:56 ID:yhuh8l/V
>>15
「昔は1Gとか2Gのメモリに高い金出してたらしいぜー」
「プッ何それ、昔の奴らは何考えてたんだろうな( ´,_ゝ`)」
「512Mもあったらしい」
「えーーーそれだけで何ができんの?( ´゚д゚`)」

みたいな会話が十年後に。
22名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:56:43 ID:SRB8esi2
これで、「次世代メモリはPRAM」っていう流れになればいいんだけどねえ。
値段とかシェアとかは、その次の話でしょ。
23名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 08:58:50 ID:6H3mef5x
フラッシュの特徴も持つってどういう事?
電源切っても、記録が保持されるの?
そしたらほしい。
24名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:02:52 ID:jMpLjpZW
Rambus<特許料をお支払い下さい
25名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:12:30 ID:0xgSoZpg
>21
普通に今考えて128Mに1万とかあり得ない時代だったな……
40GのHDDに5万とか払ってたし('A`)
26名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:20:11 ID:0QGSTZlk
え〜っと、これって言われていた、ユニバーサルメモリが
実用化したって事?
27名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:26:46 ID:6o5sFo+e

不揮発性のメモリになったら、意味不明なエラーが出て、パソコンを再起動させても
そのエラーが再現するって事になるのかよ。


Shiftキーを押しながら再起動するとメモリがクリアされるとか言うオプションが必要だな・・・。
28名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:36:32 ID:RnoLqR0f
蒼いナイフに 集めた moon light♪
29名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:37:27 ID:sAHaFvhd
>>25
大昔は、40MのHDDにウン十万払っていた。
30名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:42:50 ID:7iit57r/
昔のこと語り出したらきりがないがな…
31名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:45:37 ID:rVysYOYQ
これってvista用?
32名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 09:56:33 ID:PNma0cRn
(簡単にNHKとの受信契約を解約する方法)

●0120-151515(フリーダイヤル 以後以後以後)に電話する。
●アナウンス「該当する番号を押して下さい」と流れるので、受信料等の「1」を押す
●最近は繋がりにくいがマターリ待つ。オペレーターのおねいさんに繋がる(#´Д`#)
●解約したいと伝えると、理由を聞いてくるので「テレビが壊れた」旨伝える。
  (いつ壊れたか?他に受信機はないか? 購入、修理の予定は無いかと聞いてくる)
  (過去の場合は、さかのぼって料金が返金される!)
●お客さま番号(放送受信料領収書のはがき参照)、住所、電話番号を確認してくるので答える。
●確認が出来たら、書類を送付するので期日までに郵送する旨説明してくる。
  (この時に現在の支払い状況も確認されると思います。)
●送付された放送受信機廃止届を郵送する。(送付期限厳守!) 
             ↓
  放送受信機廃止届がNHKに到着した時点で晴れて解約完了です(・∀・) 

※最近はオペレータも簡単に解約させないようにもっていくケースが報告されていまつ。
  心配ご無用!自信を持って毅然とした態度で「撤去した!」と言うだけでOK.
  それ以外のことは言うべからず。何を言われても「撤去した!」これだけで済みます。
  
☆フリーダイヤルが繋がらない場合は「NHK視聴者コールセンター」に確認しましょう。

  オゴルナカレ オナニイ オナニイ  オゴルナカレ オムツ オムツ
  0570−077077 または 0570−066066 まで

☆まったく電話が繋がらない場合は、「NHKへのご意見・お問い合わせ」HPから
 インターネット経由で放送受信機廃止届を送付依頼しましょう。
         ttp://www.nhk.or.jp/plaza/mail/index.html
33名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:00:11 ID:KQhUVK07
OSとかアプリをこれに入れて、データはHDDに入れればいいな。
そういう使い方なら4GBで2万円くらいなら使い物になる
34名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:03:11 ID:RlBhcYOA
>>28
行き場なくしたお前を 映す十字架♪
35名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:04:34 ID:dF/hq6Ny
株価あがってるぅーーー買っとけばよかったーーーーー
お金ないけどねーーーー( ゚∀゚)アハハ八八ノヽノヽノヽノ \ / \/ \
36名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:10:04 ID:eGlTpiLG
次はPRAMの時代ニカ?
早速パクってやるニダ!
37名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:23:08 ID:WwzS9496
>>34
ボエ〜♪
38名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:29:47 ID:iYY2prPu
>>27
再起動させたらクリアされるんじゃない。

今の休止状態ってメモリ内容をHDDに退避しててその分時間かかるわけじゃん、
それがなくなる感じかと。

39名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:35:00 ID:BIpbZZmd
>現在のメモリーは動作が速い「DRAM」と、記憶量の多い「フラッシュメモリー」
>の2種類が主流だが、新メモリーは2つの長所を合わせもつ。

現在は記憶保持に電力を必要とする「DRAM」と、動作の遅い「フラッシュメモリー」
の2種類が主流だが、新メモリーは2つの短所を合わせもつ。
40名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:37:46 ID:trO/vsLE
つまりi-RAMだな
41名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:37:48 ID:h0NWigNq
メモリーがテラになるのも、時間の問題って勢いだね!
10年後は想像が付かない
42<丶`>(・・`)(`ハ´  )さん:2006/06/05(月) 10:44:13 ID:o5q+hTQB
いいね、特許でがっちり固めるところと、絶対に公表しないところを上手く
組み合わせて、技術を守ってほしいな。
一番重要なのは、管理職が賄賂や接待で懐柔されて内部を見せたり、
現場の技術者を高給で引き抜かれたりすることだな。

愛社精神だけでは不十分、
愛国心、民族意識を昂揚させて、朝鮮人のためになんか働けるかという 意識を
持たせることが非常に重要。
これまで日本の企業にはこれがなかったから、
土日に韓国に行って技術指導するような売国技術者がいっぱい出た。
43名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:46:10 ID:Erd0HJ+V
いよいよ、サムスンの天下も終わりに近づいてるニダ
44名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 10:51:59 ID:eGlTpiLG
>>42
ウリナラではチョッパリの特許は成立しないから問題ないニダ
45名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 11:49:17 ID:/t1wijei
試作とはいえ出荷できるくらいにはなったんか
MRAMよりは流石に早く量産フェーズにうつれるかぁ
まぁ開発がんばってくれ
46名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 11:54:14 ID:mxD6EGsW
IBM 3390 1GB 使った事のある人いる?
47名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:09:33 ID:bwGyzhdh
将来はデータ保持できるメモリを100GBとかPCに搭載してて、HDDがバックアップ用途くらいになるのかね?
48名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:12:09 ID:tXmLICrK
で、技術的説明が全然出てこないが、相変化で大容量と言う事は多値メモリーかね?
49名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:17:04 ID:RvxmfK7H
高速な不揮発性メモリ、か。理想的ではあるな。

ttp://www.semiconductorjapan.net/feature/0507/02.html
50名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:38:38 ID:fZwBaTeO
Macユーザが念仏のように唱えるPRAMクリアのPRAM?
51名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:40:36 ID:o5q+hTQB
>>50
いいですね。
電源入れたら、パットと。電源切ったときの状態に復元できるようになれば快適。

52名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:44:07 ID:V2eD0CrJ
先日エルピーダメモリの内定いただきました
こういうニュース聞くと俄然やる気がでてくる!
ガンガルゾ!
53名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 12:46:47 ID:ML3EuVEi
Command + Option + P + R を押すんだ!
54名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 13:23:15 ID:II/fxW1G
自作PC板じゃエルピーダのメモリ使ってるとか買ったとか
の書き込みは最近見ないなぁ

今年はDDR2にシフト、次のDDR3の話もチラホラ
ItaniumもFB-DIMMに変わるしAMDも採用するっぽい

仮にPC用の現行メモリと同等の動作をするモノとして市場に
出回るとしても3,4年先とか大分先の話だと思う

i-RAMみたいの or ハイブリットHDDに使うなら面白そうだが
でもかなり安くしないと

>>52
オメデd
55名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 13:29:23 ID:J+Ei8GWc
これが新開発のエルピーニダメモリーニダ!
56名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 13:39:35 ID:vvSDHFdl
>>54
DDR2なら、どこかのメモリ買ったらチップはエルピーダってことは多いよ。
57名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 13:47:59 ID:vvSDHFdl
追記
特にDDR2のOCメモリはマイクロンとエルピーダがかなりの割合をしめてるんじゃないかな?
58名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 14:34:54 ID:+pc5kPnm
これに解説出てますね。
PRAM = OUMです。

http://journal.mycom.co.jp/news/2002/11/27/05.html
http://journal.mycom.co.jp/news/2002/11/27/06.html

単純に言えば高速で書き換え耐性の高いフラッシュROM。
速度がやや劣る、データ信頼性がやや低い、と言ったあたりが弱点。
サーバやハイエンドには採用されないでしょう。

現在2-10Wほど食っているメモリの消費電力がゼロにできるため、
まずノートなどでメモリを代替する用途があると考えられます。
またフラッシュや光ディスクの発展技術であることから高密度化が容易で、
まず携帯電話のRAM/ROMをまとめて置き換え、
その後ディスクレスノートに発展している可能性はあります。

大半の64bitCPUのメモリアドレス限界いっぱいを搭載、
という使い方もあるかもしれません。
59名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 14:44:07 ID:+pc5kPnm
>>19
なんか東芝、日立、NECと一気に脇が硬くなったらDDR2にもついて来れず失速してますがな。
液晶も台湾勢に足下すくわれてるし、かといってハイエンドでは日本に届かない。
決して侮ってはいけないが、限界は露呈しつつある

>>44
輸出市場じゃ、ね。

>>48
2値。多値化するくらいなら高密度化するのが電子デバイスの常套手段。
60名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 15:09:25 ID:Xvp+JAIk
ノートむけ?
61名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 15:26:34 ID:tXmLICrK
>>58
これでDRAMより集積密度が上がるかね?キャパシタと磁性体の部分は
面積的にはコンパラじゃあるまいか。不揮発性のメリットは分かるが。
62名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 16:52:15 ID:djtVZ/ST
>>36
サムスンはすでにPRAMも開発してるよ
63名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 16:57:59 ID:djtVZ/ST
http://www.semiconductorjapan.net/feature/0507/01.html
Samsung Electronicsも独自技術と思われるPRAMの開発を進めており,04年に64Mビットの試作品製造に成功し,
06年頃の実用化を目指している。この他にも多くの半導体デバイスメーカーが研究開発を進めており,05年5月にはIBM,Infineon Technologies,
Macronix Internationalの3社が共同でPRAMの研究開発を行うことを表明した。InfineonとIBMは00年より共同でMRAMの開発・製造を行っており,04年には16MビットMRAMの試作を発表していた。

今回の3社共同研究と従来のMRAMビジネスの間には,なんら関係は存在していないとしているが,フラッシュメモリメーカーであるMacronixを自陣に引き入れることで,
MRAMからPRAMへと次世代メモリの中心路線を変更したことはおそらく確実で,今後の次世代メモリに対する世界的な流れに大きな衝撃を与えるもののように思われる。

64名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 16:58:14 ID:gpODTCOX
つまりどれも電気的消去可能ROMなんだろ
65名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 17:11:59 ID:tO0knx6x
このメモリってRambusの特許には引っかからないのか?
教えてエロい人
66名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 17:16:17 ID:+1JpUmj+
>>65

Rambus って最近は不揮発性メモリでも特許ゴロみたいなことやってんの?
67名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 17:21:21 ID:tO0knx6x
>>66
これって不揮発性メモリの特徴を取り入れてるだけで、ベースはDRAMなんでしょ?
違うのかな
まあRambusが握ってるのはバス関連の特許だと思うから、回避する手段はあるんだろうけど・・・
68名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 17:46:07 ID:ehAfBqxU
これもサムスンに大量生産、価格破壊してもらわないとどの道普及しない。
パテントを抑えてスパイを防止して規格を独占しても無意味なんだよな。

あーむかつく
69名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 18:35:16 ID:+pc5kPnm
>>61
PRAMならそれほど問題にはならない。
MRAM、FRAMはまた別だけど。

>>65,67
そのためのDDR


正直Samsongは警戒されまくっててなかなか組んでもらえない状況だし、
韓国の"化学"技術ではちょっときつい気がしなくもない。
あとはinfenion(siemens) vs elpida(日立NEC)を軸に、intel、東芝あたりがどう噛んでいくかですな。


PRAMは簡単だがその分限界がある。
個人的に本命と見ているのはMRAM。
その次はもう量子RAMになってしまうんではないかと。
70名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 18:50:43 ID:vNPdLlCf
PRAMクリア
71名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 19:34:15 ID:gpODTCOX
ルネサスがMRAMやってるから大丈夫だよきっと
それよりFeRAMはどうなってるんだ現状
72名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 20:25:30 ID:F+qUEnj8
>>68
サムソンも独自に開発してるっての
73名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 20:34:13 ID:2UQVvbhj
これの短所ってなんだろう。値段以外で
74名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 20:40:17 ID:ehAfBqxU
>>73
エルピーダのシェアの低さと政治力のなさのために、サムスン他が同等の規格を実用化すれば
たとえ先に市場に出していてもマイナー規格で終わることが決定している点
75名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 20:40:32 ID:gpODTCOX
>>73
相変化RAMっていうぐらいだから多分
・書き換え回数に限度がある
・将来の高速化に限度がある
・熱に弱い
んじゃないかな
調べずに書いたからすごく間違っとるかも知らんが
76名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 20:58:32 ID:F+qUEnj8
http://mikilab.doshisha.ac.jp/dia/research/report/2005/0915/002/report20050915002.html
4.1 PRAMの構造と特徴
 相変化メモリは記録素子に「相変化膜」を使い,膜の一部をアモルファス状態にするか結晶状態にするかで情報を記録する.
読み出しには状態変化に伴う抵抗変化を利用する.この二つの状態を利用して”1”と”0”を定義する.リセット動作(結晶状態から非結晶状態に戻す動作)に大電流を必要とする事が最大の課題である.


Fig.2: PRAMの原理
( 出典:参考[5] )
PRAMは,構造がDRAMのキャパシタ部分をGST(Ga-Sb-Te)膜に変更するだけで原理的には動作するため,DRAMの製造ラインとほぼ同じプロセスを使用することが可能である.
そのため,生産性の観点から見た場合,他の不揮発性メモリに比べ設備投資も含めトータルコストを抑えることが可能となる.
また,構造,材料に到る全ての面でシンプルである.特に材料である GSTは,すでに光ディスクで使用されているため多くのノウハウが存在しており,他のメモリの材料に比べ安易に扱うことが出来るという特徴がある

4.2 PRAMの現状
 05年2月にエルピーダはPRAMの本格的に実用化に向けた開発を開始している.同社ではこのまま研究が進み,大きな問題が出てこなければ06年にサンプル出荷,そして07年での量産出荷を果たしたいとしている.
最初に商用化が検討されている容量は256Mビット程度を予定している.これはPCでの使用では無く,携帯電話やデジタル家電で使用されている DRAMの代替を想定したものである.
そのためメモリの書き換え回数もPC向けメモリと比べ少なくて良いと判断しており,すでに実現のメドは立っていると言われている.今後,PCに必要とされる容量まで拡張することができるかどうかが課題である.
77名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:10:10 ID:FVLellYx
General
Unilateral
Neuro-Link
Dispersive
Accelarating
Memory
78名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:17:55 ID:vpdn1qw4
>>1のDRAMとFLASHの区別おかしくない?
揮発性か不揮発性かの話でしょ
79名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:22:20 ID:mqCLAd+K
>>78
詳しいことは知らないけど、SDメモリカードの小ささとかを考えると
そういうもんなんだろうという気がする。
80名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:42:44 ID:W/ciAICi
81名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:46:55 ID:KjvFC405
PRAMって何でDRAMより記憶容量が大きくなるの?
誰か教えて!!
82名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 21:58:14 ID:XJe3nGk6
>>76
相転移を利用するの?
なんかフラッシュメモリより書き換え寿命少なそう。。。
83名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 22:05:51 ID:4Qy+s2dK
相転移砲
84名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 22:39:22 ID:+pc5kPnm
>>81
さあ?
個人的な見解としては「DRAMは熱電力的限界を迎えつつある」という感じ
85名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 23:04:15 ID:kHo2mt4e
>>76の説明を読むと、PRAMは、容量というか読み取り
精度を上げるためには→抵抗値を上げる→(縦方向の
場合)膜を厚くする→作りやすい

一方、DRAMは容量を増やすためには膜を薄くする必要
がある→作りづらい、もしくは限界

86名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 23:16:25 ID:e+5FjhOf
サーバのHDDがいつも怖いし、ボトルネックとなってる
のでそこんところを解決したメモリが欲しいなぁ・・・
DBサーバがいつ飛ぶか怖くてたまらない
87名刺は切らしておりまして:2006/06/05(月) 23:19:57 ID:ItecmrT7
>>84
実は逆。
PRAMはアモルファス⇔クリスタルという風に分子結晶の状態そのものが
クルクルと遷移してデータ保持するんだけど、遷移が完了するためには熱拡散
が十分行われないといけない。

物凄く極端な言い方をすると、アツアツの状態から冷えないと次のアクセスを
かけられない。つまり高速化にすぐ限界が来てしまうんだよね。
88名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 02:13:23 ID:lor9kfg/
職場のベテラン氏が言うには、
「DRAMが出てきたときはなあ、リフレッシュしないと信号を保持できないなんて
 不安定なものを使っていいのかあ?」
とか言われてたとさ・・
89名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 02:59:31 ID:FXtUND01
>>59
>2値。多値化するくらいなら高密度化するのが電子デバイスの常套手段。
そんな常套手段は初めて聞いたぞ。昔の話?DRAMのみ?
微細化の先端は知ってるフラッシュでいうと、今の東芝・サムスン・インテルのフラッシュは
ほとんど多値でしょ。だからipod向けとかも全部多値のはず。
 最近の微細化には猛烈に金がかかるし、時間もかかるから、その分多値でカバーしようというのが
少し前からの流れのはずだが。
 確かにサムスンが将来4値できなそうだから3値やりました、とか微妙なもん作ってきてたが
あれはさすがに本流にならない様に思うがなぁ。少なくとも常套手段とはいえまい。

PRAMは0/1にそれほど抵抗差がないので、多値は当面無理だから2値だろうけど。

>>85
DRAMは容量部のキャパシタになっているシリンダーの加工上の問題じゃないかな。
平面方向を縮めようとすると高さ方向が高くなるけど、それも限界があるっていう話かな。
後はセル部トランジスタのリークとか。
90名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 05:19:36 ID:Ha259QnY
>>68
特許とったら独占できねーっての。
特許は使ってもらってライセンス料を払ってもらうための手段だぞw
91名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 10:24:39 ID:suOHjtd7
>>90
それは間違い。
独占するか、ライセンス認めるかは自由に選択できる。
実際に、ライセンス認めないで独占的に製造販売している会社はいくらでもある。
製薬会社の新しい薬などに多い。
92名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 10:40:05 ID:PSBbec5u
現実的には、一社独占のメモリが業界標準にはならないので(IntelやPCメーカーが買わない)
数社にはライセンスせざるえない。

また、サムソンに重要な特許をとられてしまうと、サムソンにもクロスライセンスせざるえない。
93名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 11:20:09 ID:YTf1XQfX
「エルピーダが年内にPRAMを出荷」の報道に同社がコメント

エルピーダメモリは,日本経済新聞が6月5日付け朝刊で,同社が次世代の不揮発性メモリーPRAM(phase change RAM)
の出荷を「年内に開始する」と報じたことに対してコメントした。

 報道内容に関してエルピーダメモリ広報グループは,「今回の件で日本経済新聞社の取材を受けた経緯はなく,PRAMを
単体メモリーとして製品化する計画も現時点でない」としている。

 エルピーダは,DRAMのキャパシタの置き換えを狙い,材料に流す電流によって結晶状態が変化する相変化材料を
米Ovonyx, Inc.と共同開発している(Tech-On!関連記事,『NIKKEI MICRODEVICES』2005年4月号の特集記事に関連記事)。
これまでエルピーダの開発担当者が,キャパシタを相変化膜で置き換えたDRAMのサンプル出荷を「2006年頃に始めたい」
とコメントしてきたことについては,「そうした目標で開発を続けていることに変化はない」(エルピーダ広報グループ)としている。

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060605/117856/
94名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 11:38:09 ID:ruNeWQRE
やはり フライング報道か
95名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 11:40:13 ID:+pDD7wVt
日経って飛ばし記事ばかり書いているけど、なぜのうのうと報道続けているの?
96名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 11:44:46 ID:ruNeWQRE
肉径はやはり 早漏か
97名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 14:24:55 ID:os2Cv820
東スポと変わらんな
98名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 15:00:44 ID:fXedhpMa
サムソンが頑張ってくれた方が市場価格が安くなるんだけどなぁ。
99名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 16:05:06 ID:AmTOuh0S
このスレを読んで、次世代メモリがどうこうと言うのはともかく、
チョンコロがその技術革新にメチャメチャ焦っている事だけは良くわかった。
100名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 16:07:53 ID:hoelPm30
サムスンが焦って開発スピード上げてくれるんなら嬉しいけどな
101名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 16:30:33 ID:sOlRS0SC
102名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 16:59:50 ID:ljf0jmav
ゴーゴーエルピーだ!
103名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:08:38 ID:IUJ264xe
なんかインサイダー取引に絡んでる臭いな日経は
104名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:13:48 ID:m0ZRS+/0
>>87
>物凄く極端な言い方をすると、アツアツの状態から冷えないと次のアクセスを
>かけられない。つまり高速化にすぐ限界が来てしまうんだよね。
あるセルやその周辺に頻繁に書き込みを繰り返したら、あっという間に熱が篭るから、
DRAMのかわりにはなりそうにないな。

書き込みが高速なフラッシュって位置づけかね。
105名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:16:11 ID:FvC0hsmM
俺の最初のPCは64KBだったような記憶が・・・。
106名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:25:12 ID:YTf1XQfX
東芝とNEC、不揮発性磁気メモリMRAMの基盤技術を確立

株式会社東芝とNECは6日、256Mbitクラスの不揮発性メモリ(MRAM)を実用化する基盤技術を確立したと発表した。

 MRAM(Magnetic Random Access Memory)は、素子の磁化方向で情報の蓄積を行なう不揮発性メモリ。その特徴は、
無限回数の書き換え耐性やCMOSデバイスと混載しやすいこと、1V級の低いセル電圧、既存メモリにくらべ高温での動
作が可能なことなど。これらの特徴は既存のメモリでは実現不可能なため、次世代のワークメモリやシステムLSI混載
メモリとして注目されているという。

 これまで実用化には書き込み制御性の向上や回路技術、プロセス技術などの課題があった。しかし、MTJ素子の
最適化による誤書込み防止技術の実現や、低電圧動作と高速読み書きを実現する配線構成の改良、微細加工に
必要なエッチング技術の向上を実現し、これらの技術を利用した16Mbitチップ作成。それを256Mbitクラスまで
高集積化した場合でも動作することを確認するとともに、書き込み電流値を世界最小の4mAに低減したという。

 両社は2002年度よりMRAMの共同開発を開始し、2003年度よりNEDO(独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構)
の助成を受け、ナショナルプロジェクト「不揮発性磁気メモリMRAM実用化技術の開発」として256Mbit級MRAM実現を目指してきた。
今後は、プロセス基盤技術の共同開発を継続しながら、大容量化/高速化を目指すとしている。

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0606/toshiba.htm


107名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:27:32 ID:DFa0R/2M
どうせすぐに韓国に追いつかれる
108名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:29:38 ID:FvC0hsmM
>>107
あぁそうだな。分かったから半島へ帰ってくれ。
109名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:33:57 ID:Af/PcNHa
256Mbitじゃ小さいやん
今の段階で512Mbit
来年の段階で1Gbit超えてなきゃDRAMに全く追いつけん
110名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 17:37:04 ID:436CWD4N
>>1
で、どういうメモリなのこれ?
111名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 18:06:04 ID:wgJ56Zfx
書き換え回数に制限がある時点で
使えないな。
次世代はMRAMだなやっぱり。
112名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 18:12:08 ID:436CWD4N
CD-Rみたいなメモリってことか?
113名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 18:21:26 ID:sOlRS0SC
http://mikilab.doshisha.ac.jp/dia/research/report/2005/0915/002/report20050915002.html

構造と動作原理はここで見て理解しろ お前らの頭じゃ無理だろうが
114名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 18:29:54 ID:436CWD4N
専門家のくせに自分の言葉で説明できないなんて悲しすぎ
115名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 18:36:37 ID:tUrWdoGA
>>107
X  どうせすぐに韓国に追いつかれる
○  どうせすぐに韓国にパクられる
116名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 19:04:42 ID:gewF+gUT
メモリーの種類の多さに閉口、SDRAMからわけわからんっす
117名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 19:11:19 ID:olXDJwW4
俺はもう、増設とか煩わしいことを考えずに
購入時にどーんと積んでやることにしている。
118名刺は切らしておりまして:2006/06/06(火) 23:23:57 ID:sciE42vj
エルピーダがチビチビと少量生産をお気楽にしていると。サムスンが
イケると判断したら一揆に巨額を投下して大工場をつくり儲けと
シェアはガッポリとサムスンがいただく。となる。
119名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 00:20:13 ID:hGzY8yQv
寄り合い所帯だから、巨額投資の決断の
スピードが遅い。
120名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 00:27:32 ID:A7xDBKqI
赤字から脱出できたの?
121名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 00:32:36 ID:GESqqIXX
>>109
携帯電話とかの移動端末にはかなり需要ありそうな気がする。
アイドル時に電流カットOK。サスペンド時もリフレッシュ必要なし。

携帯電話の待ち受け時間とかかなり延びるんじゃ?
122名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 00:43:59 ID:I4ic6J3L
256Mbitなら16チップで512MB
モバイルで何とか使える
消費電力はDRAMだと1W越えてた所をほぼ0にする事ができる
123名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 00:48:47 ID:c1knsPKl
SANMAX エルピーダ買ったぞ
124名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 01:31:24 ID:ZIaAep2B
メモリエラー多発しない?>PRAM
125名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 01:55:29 ID:2grHkwR+
>>95
日経を読んでこそ一人前の社会人と思ってる盲目人のお陰
126名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 06:43:54 ID:ePXRuIKr

飛ばしの日経  新たな負のイメージが生まれつつあるな
127名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 06:47:10 ID:SnRlOiv2
村上ファンドの次は、日経を操作しろよ。
世論操作(風説の流布)で株価操縦してるだろ!
128名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 06:53:52 ID:qNPKzs23
>>126
新たな?
129名刺は切らしておりまして:2006/06/07(水) 22:06:37 ID:lcjyCA2Z
【半導体】東芝とNEC、不揮発性磁気メモリMRAMの基盤技術を確立[06/06/06]
http://news18.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1149598208/
130名刺は切らしておりまして:2006/06/08(木) 00:03:58 ID:0gaVh4Ab
>>52
元気出せよ
131名刺は切らしておりまして:2006/06/08(木) 00:25:14 ID:YDkMqVdc
エルピーダのDDR2、nForce5で地雷扱いじゃん。
だいじょぶなんかい?
132名刺は切らしておりまして:2006/06/08(木) 00:34:05 ID:QvUP4H3G
>>127
経済部の記者になると家が建つと
業界内で評判のところだからね
133名刺は切らしておりまして:2006/06/12(月) 13:20:59 ID:jdTj6VJ/
>>127 >>132
昨年末にはソニー株をめぐる、アラブの王子様の日経独占インタビューによる
株価操縦疑惑も暴かれたばかりだしなあ・・・
134名刺は切らしておりまして:2006/06/16(金) 06:35:38 ID:qbE+h9wQ
134
135名刺は切らしておりまして:2006/06/16(金) 12:18:46 ID:rh8ox0X3
YonahでもAM2でも相性でてるじゃん。
屑RAM売りつけるなエロピーダ
136名刺は切らしておりまして:2006/06/16(金) 12:33:53 ID:yMPxoKfa
インフォマイカはどうなってんの?
137名刺は切らしておりまして:2006/06/16(金) 13:07:08 ID:Cy/bdISB
PRAMって、書き込み速度に限度があるんじゃないのかなぁ。
記憶素子を物理的に変化させる必要があるんだから、今の速度より
画期的に高速化する手法がないような気がする。

寿命を気にしなくてもよいフラッシュメモリー、という形の使い方か、
あるいは速度を気にしなくてもよい携帯電話・デジカメ向きなのでは?

DRAM後継の本命はやはりMRAMじゃないかな。
138名刺は切らしておりまして:2006/06/18(日) 01:56:20 ID:9aDmGwqh
PRAMの相変化だと高温での変化だろうしねえ。耐久性・高速性が不安だな。
MRAMは本当に理屈通りの書き換え低消費電力が可能なのかが、疑問だし。
本当にそこだけ磁気の方向を一本の電流の磁力で変えられるんか?

結局、PRAMが相変化光ディスク、MRAMが磁気ディスク、って事なんだろうから、
中間の光磁気ディスク相当のキューリー温度までだけ上下する固定磁場でのRAMなら一番じゃなかろうか。
って、固定磁場ってので、RAMじゃなく、フラッシュメモリ的なブロック消去になりそうかorz
139名刺は切らしておりまして:2006/06/18(日) 07:15:47 ID:aLU9PHeT
話を聞いていると、耐久性と高速性の両方を改善することだそうだが、
このあたりは技術力による差が大きく出てきそうなので、エルピーダには
がんばってほしい。
140マイクロン:2006/06/18(日) 08:47:15 ID:Agz/Zjub
>>16
こういうやつに限って、中国産の「エルピーダ」をうれしそうに買ってるんだろうな。
エルピーダのPC用メモリーの多くは、中国・台湾企業からのOEM調達
>>54
そりゃ、初期ロット以外、外国製になっちゃったんだもんね。
141名刺は切らしておりまして:2006/06/18(日) 09:39:46 ID:/SmFAJZa

32BitOSに4G以上のメモリを積んでも

ポインタのアドレスが4G以上をさせません。

142名刺は切らしておりまして
>>141
6GB積んで2GBをオンボードビデオに割り当てられれば……