【日本製】エルピーダ、ルネサス等国内半導体産業総合スレッドPart4【05/02/22】

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952サムスン技術力でも日本を超えたか
東芝は55ナノ06年度第3四半期に生産、微細化で先行を狙う-8月24日-
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東芝は06年度第3四半期(10―12月)から線幅55ナノメートルの微細化プロセスで
生産した製品を出荷する。(中略)前倒しすることでコスト競争力を高める。NAND型で
シェア首位の韓国サムスン電子に設備投資力や生産規模で勝負するのは難しいもの
の、東芝は微細化で先行を狙う。
http://66.102.7.104/search?q=cache:HV7h4bXVpNAJ:brain.newswatch.co.jp/BNS/so-net/news/15010/nknkogyo2005082500097.html+%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA%E3%80%80%E6%9D%B1%E8%8A%9D%E3%80%80%E3%83%8A%E3%83%8E&hl=ja


サムスン50ナノ06年下半期量産-9月12日-
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韓国の半導体・電機大手サムスン電子は12日、回路の線幅50ナノメートルの最先端
微細加工技術を活用した、記憶容量16ギガビットと最大のフラッシュメモリーを世界で
最初に開発した、と発表した。来年(06年)下半期から量産態勢に入る予定。
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20050912-00000186-kyodo-bus_all