化学ニュース速報φ２　　　　

ナノテク応用で高性能の半導体製造につながる手法発見＝ＩＢＭ

　［ニューヨーク　８日　］　米コンピューター大手のＩＢＭ < IBM > は８日、
ナノテクノロジーを応用して、コンピューターや携帯電話などのエレクトロニクス製品向けの
より小型で高性能の半導体メモリーの製造を容易にする可能性がある手法を発見した、と発表した。
同社の研究員らは、ナノ粒子の自己集合能力と標準的な半導体製造措置を結合させて、微小な
半導体メモリーを製造した。
　このメモリーは、エレクトロニクス製品の電源が切られた時に最新の情報を保持する
フラッシュ・メモリーのように機能する。
　この場合、分子はハニカム状となり、このパターン中の穴の直径は約２０ナノメートル、
隣合わせた穴同士の距離は約４０ナノメートルとなる。
　このプロジェクトに携わる研究員のチャック・ブラック氏によると、これは、
現行の半導体製造装置の場合よりもサイズが１０分の１と小さくなる。
同氏は、「ポリマー（重合体）が自己集合するのは、ほとんどマジックのようだ」と述べた。
http://news.goo.ne.jp/news/reuters/keizai/20031208/JAPAN-132379.html

>>468
むちゃくちゃ気になったので大元の記事を拾ってきた。
ちなみにIBMのページにはまだ情報出てないよ・・

http://www.ciol.com/content/news/2003/103120804.asp
http://zdnet.com.com/2100-1103_2-5114066.html

明日発表かあ・・　みんな考えること一緒っすね。